黄风义,男,教授,博士生导师,1964年12月21日出生于大连市。1986年7月学士毕业于北京大学物理系，1988年9月硕士毕业于复旦大学物理系半导体物理专业，获李政道物理奖学金。1988年至1989年获英国海外留学生奖学金，于1989年1月至1990年6月留学英国巴斯大学电子系。1991年6月入美国宜利诺斯大学香槟分校(半导体电子)材料和工程专业读博士，1994年10月以优秀成绩获博士学位。1994年10月至1997年7月在美国加利福尼亚大学落杉矶分校电子工程系做博士后研究员。从事硅基谐振腔光探测器:材料结构、器件工艺和测试研究。1997年8月至2001年11月在美国IBM高级半导体技术中心任高级工程师(Advisory Engineer)。从事高频通信电子器件技术和产品开发, 超大规模集成电路生产线管理。作为第一位也是唯一华人, 在 IBM 从最早一代开始, 参与了国际最先进的主要用于高频通信器件的锗硅工艺和产品三代技术的开发和大规模生产；在 2000年-2001年期间领导了最新一代将用于超高速光纤通信 (40 Gb/s)的电子器件的技术开发，获 IBM 微电子部总经理的杰出贡献奖，2001年12月至2002年11月受聘为东南大学兼职教授，2002年12月至今，受聘为东南大学无线电工程系教授、博士生导师、教育部长江学者奖励计划特聘教授，射频与光电集成电路研究所副所长。
在可塑性超薄半导体衬底技术领域，黄风义博士作为最早的开拓人之一，作出了大量国际领先的实验，并且创立了一整套理论，其结果被发表在材料物理最具盛名的《物理评论通讯》杂志上，并被特别邀请在国际复合物半导体年会上做相关报告。曾在国际一流杂志上发表了近50篇技术论文，其中约30篇是第一作者，在英国物理学会出版社出版的 <薄膜工艺和技术手册> 上著有两章专著。在英国物理学会出版社（IOP）出版的技术手册上著有两章专著，并多次在国际会议上作报告及特邀报告。曾任 IEEE Photonic West (Si-Based Opto-Electronics) 1999, 2000年两届国际会议的组委会委员。
在最先进的锗硅技术, 铜连接技术以及绝缘衬底技术 (SOI) 方面拥有十多项美国专利，5项中国专利。所申请的专利曾获得IBM公司专利发明三级平台奖。在其中关于锗硅BiCMOS器件的专利，被作为重要专利在多个国家包括美国，欧洲，台湾，泰国等地申请，并形成了一个系列的专利，奠定了相关工艺的基础。
